[发明专利]一种直流-交流变换器拓扑结构及其控制策略有效
| 申请号： | 202011501544.8 | 申请日： | 2020-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN112751498B | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 刘闯;蔡国伟;庄可好;裴忠晨;朱帝;姜宇 | 申请（专利权）人： | 东北电力大学 |
| 主分类号： | H02M7/5387 | 分类号： | H02M7/5387;H02M7/5395;H02M1/12 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 戴媛 |
| 地址： | 132012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种直流‑交流变换器拓扑结构，包括采用Si‑IGBT器件构成的主单元、采用SiC‑MOSFET器件构成的从单元、工频变压器；主单元包括连接直流侧输入电压的逆变电路a，逆变电路a连接LC滤波电路a，LC滤波电路a输出端串联工频变压器的初级绕组，LC滤波电路a输出端还连接负载；从单元包括连接直流侧输入电压的逆变电路b，逆变电路b连接LC滤波电路b，LC滤波电路b串联工频变压器的次级绕组；将SiC‑MOSFET开关损耗小与Si‑IGBT电流能力强的优点有效结合起来，极大地降低了Si‑IGBT的开关频率，使高频工作的SiC‑MOSFET流过较小电流，降低了开关损耗，提高了系统的工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直流 交流 变换器 拓扑 结构 及其 控制 策略 | ||
【主权项】：
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