[发明专利]一种宽量程高灵敏度MEMS电容薄膜真空规在审
| 申请号： | 202011501968.4 | 申请日： | 2020-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN112611506A | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 韩晓东;李得天;冯勇建;许马会 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | G01L21/00 | 分类号： | G01L21/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 昆明合众智信知识产权事务所 53113 | 代理人： | 周虹 |
| 地址： | 361000 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种宽量程高灵敏度MEMS电容薄膜真空规，包括玻璃基底层、电极层、含硅基底层、保护层以及密封层，所述密封层、含硅基底层以及玻璃基底层从上到下依次设置；所述玻璃基底层与含硅基底层之间设置参考端腔体，所述密封层与含硅基底层之间设置测量端腔体，所述参考端腔体与测量端腔体之间设置感应薄膜，所述密封层上设置与测量端腔体连通的通气孔，所述保护层设置于测量端腔体内，且所述保护层上且位于感应薄膜的一端面设置凹槽，所述含硅基底层上设置与参考端腔体连通的电极引出孔，且还设置电极引出槽；所述电极层包括设置于玻璃基底层上且位于参考端腔体内的固定电极以及与固定电极连接且位于第一引出槽内的电极引出焊盘。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 量程 灵敏度 mems 电容 薄膜 真空 | ||
【主权项】：
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