[发明专利]制造包含松弛的氮化铟镓层的衬底的方法在审
| 申请号： | 202011501973.5 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN113013018A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 卡罗尔·佩内尔;阿梅莉·迪赛涅 | 申请（专利权）人： | 原子能和替代能源委员会 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/02;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 张玮;王琳 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造衬底的方法，包括以下步骤：提供包括初始衬底、氮化镓层、掺杂的氮化铟镓层(13)以及非故意掺杂的氮化铟镓层(14)的堆叠；将掺杂的氮化铟镓层(13)和非故意掺杂的氮化铟镓层(14)转接到阳极氧化支撑体(21)上，以形成第二堆叠(20)；将第二堆叠(20)和对电极浸入电解质溶液中，并在掺杂的氮化铟镓层(13)和对电极之间施加电压或电流，以对掺杂的氮化铟镓层(13)进行多孔化，并使非故意掺杂的氮化铟镓层(14)松弛；将掺杂的氮化铟镓层(13)和非故意掺杂的氮化铟镓层(14)转接到关注的支撑体上；以及通过在非故意掺杂的氮化铟镓层上进行外延来形成氮化铟镓层，以获得松弛的外延生长的氮化铟镓层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 包含 松弛 氮化 铟镓层 衬底 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
