[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202011502144.9 | 申请日： | 2020-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN112510018A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 朱光恒伟;黄宇恒;陈帮 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/308 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：在切割道区的第一沟槽上的光刻胶层中形成第一开口，且在器件区上的光刻胶层中形成第二开口，第一开口的底部保留部分厚度的光刻胶层，第二开口暴露出器件区的器件晶圆的顶表面；以及，执行刻蚀工艺，以去除第一开口的底部保留的光刻胶层，并在第一开口的底部的器件晶圆中形成第二沟槽，在第二开口的底部的器件晶圆中形成第三沟槽，第二沟槽的深度小于第三沟槽的深度。本发明的技术方案使得切割道区的用于制作对准标记的第二沟槽的深度与器件区的用于制作器件结构的第三沟槽的深度不同步，实现了对对准标记的深度的精确控制，确保对准标记的质量，提高晶圆的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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