[发明专利]一种二氧化碲单晶的制备方法在审

专利信息
申请号: 202011502352.9 申请日: 2020-12-18
公开(公告)号: CN112725877A 公开(公告)日: 2021-04-30
发明(设计)人: 童静芳;周海涛;何小玲;左艳彬;王金亮;覃世杰;张昌龙;李东升;吴文渊;宋旭东 申请(专利权)人: 桂林百锐光电技术有限公司
主分类号: C30B7/10 分类号: C30B7/10;C30B29/46
代理公司: 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 代理人: 姚晓丽
地址: 541004 广西壮族自治区*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 发明公开了一种二氧化碲单晶的制备方法,属于单晶生长技术领域。所述二氧化碲单晶的制备方法,包括如下步骤:将水热反应物置于石英衬套管的底部,再加入水,将所述石英衬套管密封后,加热混匀,然后将加热后的所述石英衬套管置于高压釜的釜体中;在所述石英衬套管和所述釜体的夹层中加入水,将所述高压釜密封,再将密封后的所述高压釜置于电阻炉中,设置溶解区和生长区的温度,进行程序降温,即得到二氧化碲单晶。本发明采用石英衬套管水热法来制备二氧化碲单晶,可以使二氧化碲晶体在温度为300℃‑400℃、压力100MPa的情况下,在5d‑10d内快速生长出结晶完整、无明显杂质缺陷、高质量的二氧化碲单晶。
搜索关键词: 一种 氧化 碲单晶 制备 方法
【主权项】:
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