[发明专利]一种用于大面阵混成式焦平面的铟柱结构及制作方法有效
| 申请号： | 202011502926.2 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN112635433B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 王立;董绪丰;黄晓峰;崔大健;高新江;莫才平 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48;H01L31/101 |
| 代理公司： | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人： | 王海军 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种用于大面阵混成式焦平面的铟柱结构及制作方法，该结构包括探测器芯片基板和铟柱；铟柱设置在基板上；制作方法包括：用蒸发‑光刻的方式制作一层与铟高浸润的UBM金属打底层；在UBM打底层上旋转涂布一层高分子聚合物掩模并用退火的方式固化；将高分子掩模层盖住UBM打底层的区域刻蚀掉，形成铟柱模型孔；采用双层厚胶剥离的方式在回溶区域上制作一块底面铟层；去掉铟柱表面氧化层后，通过在有机溶剂中高温加热的方式进行回溶整形；最后用化学清洗剂将下面的高分子聚合物去掉，形成铟柱；本发明通过调节铟柱模型孔的大小和深度，获得形貌、大小、高度可控的铟柱。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 大面 混成 平面 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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