[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202011503220.8 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN113035944A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 陈则 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/739;H01L27/082 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，其即使在具有沟槽栅极和哑沟槽栅极的结构中也不会成为异常的电容‑电压特性。该半导体装置具有：半导体基板，其至少具有从下方起依次设置的第1导电型的第1半导体层以及第2半导体层、第2导电型的第3半导体层、以及在第3半导体层的上层部选择性地设置的第1导电型的第4半导体层；沟槽栅极，其在厚度方向上贯通第4半导体层以及第3半导体层而到达第2半导体层内；第1哑沟槽栅极，其在厚度方向上贯通第3半导体层以及第2半导体层而到达第1半导体层内；以及第2哑沟槽栅极，其在厚度方向上贯通第3半导体层而到达第2半导体层内，第1哑沟槽栅极以及第2哑沟槽栅极配置于沟槽栅极的队列之中，与第1主电极电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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