[发明专利]NORD flash制造方法、器件和存储介质

摘要

本发明公开了一种NORD flash制造方法，包括在硅衬底上形成memory cell区域和外围电路多晶硅栅极区域并沉积多晶硅；光刻及刻蚀去除memory cell区域的多晶硅、高压氧化层和氮化硅，保留外围电路多晶硅栅极多晶硅，并在外围电路多晶硅栅极多晶硅旋涂光刻胶；memory cell区域控制栅接触孔光刻及刻蚀，外围电路多晶硅栅极区域去除光刻胶；memory cell区域和外围电路多晶硅栅极区域沉积硬掩膜后，旋涂光刻胶并打开刻蚀外围电路多晶硅栅极光刻窗口；外围电路多晶硅栅极刻蚀，形成外围电路多晶硅栅极，去除光刻胶；形成隔离侧墙。本发明优先memory cell成型工艺，然后再进行memory cell外围电路栅极成型工艺，能减少传统工艺导致ILD填充不足以及Cell disturb的风险。