[发明专利]一种柔性磁兼容的植入式脑电电极阵列及其制备方法有效
| 申请号： | 202011504369.8 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN112641448B | 公开（公告）日： | 2023-02-24 |
| 发明（设计）人： | 董树荣;潘梦萍;郭维;潘嘉栋;张弓远 | 申请（专利权）人： | 浙江大学;之江实验室 |
| 主分类号： | A61B5/293 | 分类号： | A61B5/293 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 贾玉霞 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种柔性磁兼容的植入式脑电电极阵列，该电极为双面电极，以垂直于大脑皮层的方向被植入皮层内部；该电极包括六层，从下到上，依次为第一柔性封装层、第一金属电极层、第一柔性衬底层、第二柔性衬底层、第二金属电极层、第二柔性封装层；所有的柔性封装层和柔性衬底层选自生物相容性材料；所述第一金属电极层和第二金属电极层头部部分裸露，作为电极触点，尾部部分裸露，作为电极接口；位于所述头部和尾部的中间部分作为电极通道；整个电极的头部设置引导孔，辅助电极的植入。该脑电极阵列采用柔性微纳加工特殊方法制备。该脑电电极阵列采用双面电极阵列排布、易植入、柔性、记录信号质量高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 兼容 植入 式脑电 电极 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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