[发明专利]评估在中间产物中形成的孔在审
| 申请号： | 202011505752.5 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN113013047A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | R·克里斯;G·克列巴诺夫;D·S·拉索;E·弗莱施曼;S·杜夫德瓦尼-巴;A·沙米尔;E·萨默;J·杰瓦;D·A·罗杰斯;I·弗里德勒;A·A·B·西莫宏 | 申请（专利权）人： | 应用材料以色列公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G06T7/00;G11C5/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖;张鑫 |
| 地址： | 以色列瑞*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种评估系统，所述评估系统可包括成像器和处理电路。所述成像器可被配置为获得通过蚀刻工艺形成的孔的电子图像，所述孔暴露一组或多组层中的至少一个层，每组层包括电子产额彼此不同并属于中间产物的层。所述处理电路可被配置为基于所述电子图像来评估所述孔是否在所述中间产物的目标层处终止。所述中间产物通过三维NAND存储器单元的制造工艺的一个或多个制造阶段来制造。所述孔可表现出高深宽比，并且具有纳米级尺度的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 评估 中间 产物 形成 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料以色列公司，未经应用材料以色列公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011505752.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：显示设备
- 下一篇：使用神经网络选择计算内核变量
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
