[发明专利]一种双面少层超构表面器件的加工方法有效
| 申请号： | 202011507348.1 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN112558437B | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 罗先刚;高平;蒲明博;李雄;马晓亮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 杨学明 |
| 地址： | 610209 *** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种双面少层超构表面器件的加工方法，该方法适用于微纳加工技术领域。分别设计具有对准标记的1#标记掩模版、和具有套刻对准标记和图形的2#、3#掩模版。为保证在进行双面对准时标记能起到对准的作用，该对准标记为中心对称图形。利用标记掩模版通过光刻工艺和湿法刻蚀工艺在晶圆的第一表面上制作出对准标记。然后分别利用2#、3#掩模版对晶圆第一表面进行两次套刻和曝光，通过刻蚀工艺传递图形到晶圆表面。再分别利用2#、3#掩模版对晶圆的第二表面进行两次套刻和曝光，然后进行图形刻蚀传递，从而在晶圆表面制作出双面对准的图形。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双面 少层超构 表面 器件 加工 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院光电技术研究所，未经中国科学院光电技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011507348.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
