[发明专利]使用缓冲层作为用于对耦合电介质氧化物层的化学机械抛光的停止件的集成电路制造过程在审
| 申请号： | 202011507505.9 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN113013088A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 王玉展;P·巴萨瓦纳哈利·库玛斯瓦米;辜宏佳;A·莱奥蒂;P·拉蒙达 | 申请（专利权）人： | 意法半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李春辉 |
| 地址： | 新加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及使用缓冲层作为用于对耦合电介质氧化物层的化学机械抛光的停止件的集成电路制造过程。在半导体衬底之上沉积由第一电介质材料制成的第一电介质层。然后在第一电介质层的上表面上沉积缓冲层。将沟槽打开为延伸穿过缓冲层和第一电介质层。以共形的方式，将由第二电介质材料制成的第二电介质层沉积在缓冲层上，并且填充沟槽。执行对第二电介质层的化学机械抛光，以去除第二电介质层的上覆部分，其中缓冲层被用作抛光停止件。在去除缓冲层之后，第一电介质层和填充沟槽的第二电介质材料形成预金属化电介质层，该预金属化电介质层具有实质上平坦的上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 缓冲 作为 用于 耦合 电介质 氧化物 化学 机械抛光 停止 集成电路 制造 过程 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
