[发明专利]半导体元件在审
| 申请号： | 202011509547.6 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN113013246A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 王匀远;萧至翔;倪懿池;吴志毅 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/16;H01L29/161;H01L29/24 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件包括基板、通道堆叠、源极/漏极接触件，及栅电极。通道堆叠在基板之上且包括2D通道层及阻障层。阻障层的能量带隙大于2D通道层的能量带隙。源极/漏极接触件与通道堆叠接触。栅电极在基板上方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
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