[发明专利]碳化硅晶体生长装置及其生长方法、碳化硅晶锭在审
| 申请号： | 202011511534.2 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN112725886A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 徐良;曹力力;蓝文安;刘建哲;余雅俊;郭炜;李京波;夏建白 | 申请（专利权）人： | 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 金铭 |
| 地址： | 321000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种碳化硅晶体生长装置及其生长方法、碳化硅晶锭，该碳化硅晶体生长装置包括石墨坩埚和加热装置，石墨坩埚包括呈上大下小圆台状的坩埚本体，所述坩埚本体包括具有开口的容纳腔；所述加热装置可上下移动的设置在所述坩埚本体外部。该碳化硅晶体生长装置采用外形呈上大下小圆台状的石墨坩埚，相对于直立结构坩埚其能够改变坩埚本体内部晶体生长的温度场，有利于生长形状平整的大尺寸高质量碳化硅晶锭，同时更加节约碳化硅晶体生长原料，而且加热装置可以相对于坩埚上下移动，能够进一步有利于晶锭长度的增加。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 晶体生长 装置 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
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