[发明专利]一种中子屏蔽的聚合物复合材料、制备方法、线材及应用有效
| 申请号： | 202011511714.0 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN112745550B | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 王东瑞;高健;林祥;王佳平;高建义;刘宇;李勇枝 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学;中国人民解放军63919部队 |
| 主分类号： | C08L23/06 | 分类号： | C08L23/06;C08L91/06;C08K9/06;C08K7/00;B64G1/54;G21F1/10;B33Y70/10 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 皋吉甫 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种中子屏蔽的聚合物复合材料、制备方法、线材及应用，涉及3D打印材料技术领域，能够实现氮化硼纳米片在聚乙烯基体中的均匀分布，通过FDM打印成型为具有中子屏蔽性能的复杂形状制件；该复合材料的组分包括：聚乙烯基体，质量百分比为80‑98.8％；氮化硼纳米片，质量百分比为1‑20％；增塑改性剂，质量百分比为0.2‑2％；所述聚合物复合材料的制备过程包括：将上述原料混合后在150‑190℃环境下熔融造粒得到。本发明提供的技术方案适用于3D打印以及材料制备的过程中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 中子 屏蔽 聚合物 复合材料 制备 方法 线材 应用 | ||
【主权项】：
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