[发明专利]多栅极场板结构HEMT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202011512867.7 | 申请日： | 2020-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN112635552A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 孙慧卿;夏晓宇;夏凡;马建铖;李渊;谭秀洋;张淼;郭志友;黄志辉;丁霄;王鹏霖 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京清控智云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11919 | 代理人： | 仵乐娟 |
| 地址： | 510000 广东省广州市天*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及多栅极场板结构HEMT器件及其制备方法，包括位于AlGaN层上的源极、第一钝化层、p型GaN区和漏极，源极和漏极位于第一钝化层的两端，p型GaN区位于第一钝化层中靠近源极；第二钝化层，形成于第一钝化层的表面；栅极形成于第二钝化层中，与p型GaN区的上表面接触；浮空栅极场板形成于栅极与漏极之间的第二钝化层中，位于第一钝化层的上表面，浮空栅极场板靠近栅极，与源极连接的源极场板，自源栅区域延伸至部分栅漏区域；与漏极连接的漏极场板，位于第二钝化层的上表面。其通过设置多栅极场板结构和源/漏场板之间的分布方式有效扩大了耗尽区域，扩宽了栅极与其之间的电场分布，提高了击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 板结 hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南师范大学，未经华南师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011512867.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种发动机冷却装置
- 下一篇：源极耦合、漏极求和的模拟向量-矩阵乘法运算电路
- 同类专利
- 专利分类
