[发明专利]一种纳米花状碘硫化锑晶体的生长方法在审
| 申请号： | 202011513112.9 | 申请日： | 2020-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN112499681A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 范大勇;彭国良;刘勇平 | 申请（专利权）人： | 桂林理工大学 |
| 主分类号： | C01G30/00 | 分类号： | C01G30/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 541004 广西壮*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： |
一种纳米花状碘硫化锑(SbSI)晶体的生长方法，它涉及到一种纳米花状碘硫化锑(SbSI)晶体的生长方法。目的是开发一种能够在自由选择衬底上生长高质量碘硫化锑纳米结构的方法。本发明的一种纳米花状碘硫化锑(SbSI)晶体是由三氯化锑，碘化钾，硫代乙酰胺，冰醋酸制成。方法：取一定量的SbCl |
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| 搜索关键词： | 一种 纳米 花状碘 硫化锑 晶体 生长 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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