[发明专利]一种基于MOSFET高速开关的PEMFC交流扰动信号调控方法在审

专利信息
申请号: 202011514080.4 申请日: 2020-12-18
公开(公告)号: CN112698220A 公开(公告)日: 2021-04-23
发明(设计)人: 周雅夫;董启超;杨鑫荣;连静;李琳辉 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: G01R31/378 分类号: G01R31/378;G01R31/389;B60L50/70
代理公司: 大连理工大学专利中心 21200 代理人: 李晓亮;潘迅
地址: 116024 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 一种基于MOSFET高速开关的PEMFC交流扰动信号调控方法,属于燃料电池汽车研发领域。针对双源电机PEMFC汽车由于取消了DC/DC转换器结构而无法精确调控PEMFC直流母线上的交流成分以实现对PEMFC内阻进行实时测试的问题。本发明提供一种低成本的基于MOSFET高速开关调控的PEMFC交流扰动信号生成方法,以使其应用于PEMFC内阻测试过程中。该交流信号扰动方法既可实现对PEMFC直流母线上的交流成分进行独立调控,无需DC/DC转换器以节约系统空间和重量,降低了调控电路的复杂性,避免了功率电路之间的相互干扰对测试系统调控性能的影响;同时又减少了对高频专用设备的使用,节约了成本。
搜索关键词: 一种 基于 mosfet 高速 开关 pemfc 交流 扰动 信号 调控 方法
【主权项】:
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