[发明专利]一种基于MOSFET高速开关的PEMFC交流扰动信号调控方法在审
申请号: | 202011514080.4 | 申请日: | 2020-12-18 |
公开(公告)号: | CN112698220A | 公开(公告)日: | 2021-04-23 |
发明(设计)人: | 周雅夫;董启超;杨鑫荣;连静;李琳辉 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | G01R31/378 | 分类号: | G01R31/378;G01R31/389;B60L50/70 |
代理公司: | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人: | 李晓亮;潘迅 |
地址: | 116024 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 一种基于MOSFET高速开关的PEMFC交流扰动信号调控方法,属于燃料电池汽车研发领域。针对双源电机PEMFC汽车由于取消了DC/DC转换器结构而无法精确调控PEMFC直流母线上的交流成分以实现对PEMFC内阻进行实时测试的问题。本发明提供一种低成本的基于MOSFET高速开关调控的PEMFC交流扰动信号生成方法,以使其应用于PEMFC内阻测试过程中。该交流信号扰动方法既可实现对PEMFC直流母线上的交流成分进行独立调控,无需DC/DC转换器以节约系统空间和重量,降低了调控电路的复杂性,避免了功率电路之间的相互干扰对测试系统调控性能的影响;同时又减少了对高频专用设备的使用,节约了成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 mosfet 高速 开关 pemfc 交流 扰动 信号 调控 方法 | ||
【主权项】:
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