[发明专利]一种高量子效率的纳米阵列光电阴极及其制备方法在审
| 申请号： | 202011514561.5 | 申请日： | 2020-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN112530768A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 沈洋;方强龙;陈亮;李依婷;谢大宝;朱华 | 申请（专利权）人： | 中国计量大学 |
| 主分类号： | H01J1/34 | 分类号： | H01J1/34;H01J9/12 |
| 代理公司： | 台州杭欣专利代理事务所(普通合伙) 33333 | 代理人： | 尚竹亚 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种高量子效率的纳米阵列光电阴极及其制备方法，光电阴极包括正极、负极、指数掺杂层、绝缘层。正极为纳米条带阵列；所述正极接入电源正极，所述负极接入电源负极。其中所述指数掺杂层包括阴极发射层、保护层和基底；所述阴极发射层为纳米圆柱；阴极发射层材料为指数掺杂的In |
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| 搜索关键词： | 一种 量子 效率 纳米 阵列 光电 阴极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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