[发明专利]中子吸收材料及其制备方法和应用

摘要

本申请涉及一种中子吸收材料及其制备方法和应用，属于中子吸收材料技术领域。一种中子吸收材料的制备方法，包括：以硼酸酯为硼源，采用原子层沉积法在基材上循环沉积氧化硼形成氧化硼膜层，再在氧化硼膜层上沉积其他金属氧化物形成再活化膜层，重复上述步骤以得到中子吸收材料。以硼酸酯为硼源，避免现有原子层沉积法制备氧化硼薄膜时使用含卤素的硼化物，使得反应过程中产生含腐蚀性卤化氢的尾气。在氧化硼膜层上沉积其他金属氧化物，能够活化氧化硼膜层表面的氢键，避免氧化硼因为物理吸附而导致沉积过程终止。该氧化物层使得氧化硼能够连续生长，以得到具有一定厚度的氧化硼膜层。