[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 202011515121.1 申请日: 2020-12-21
公开(公告)号: CN113053910A 公开(公告)日: 2021-06-29
发明(设计)人: 丁义潭;禹映范;金炳圭;金恩知;白承祐 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/11582 分类号: H01L27/11582;H01L25/18
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 尹淑梅;刘灿强
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括:绝缘结构;多个水平层,在绝缘结构中竖直堆叠且彼此间隔开;导电材料图案,接触绝缘结构;以及竖直结构,穿透通过所述多个水平层并且延伸到绝缘结构上的导电材料图案中。所述多个水平层中的每个包括导电材料,竖直结构包括竖直部分和突出部分,竖直结构的竖直部分穿透通过所述多个水平层,竖直结构的突出部分从竖直部分延伸到导电材料图案中,竖直部分的宽度比突出部分的宽度大,突出部分的侧表面与导电材料图案接触。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
暂无信息
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