[发明专利]基于非晶锗热电阻的柔性MEMS流速传感器在审

专利信息
申请号: 202011516301.1 申请日: 2020-12-21
公开(公告)号: CN112730886A 公开(公告)日: 2021-04-30
发明(设计)人: 崔峰;涂云婷;冯剑玮;赵韦良;张卫平 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: G01P5/12 分类号: G01P5/12;G01F1/68
代理公司: 上海交达专利事务所 31201 代理人: 王毓理;王锡麟
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种基于非晶锗热电阻的柔性MEMS流速传感器,包括:由下而上依次设置的柔性衬底、支撑膜、绝缘保护层、位于隔热空腔之上支撑膜和绝缘保护层之间的悬空膜加热热电阻和悬空膜测温热电阻对以及位于隔热空腔外柔性衬底之上支撑膜和绝缘保护层之间、用于测量环境流体温度的变化的衬底测温热电阻对,支撑膜部分悬空设置于柔性衬底上,支撑膜和绝缘保护层相连,悬空膜加热热电阻、悬空膜测温热电阻对和衬底测温热电阻对分别通过对应的引线和引脚与外界相连。本发明采用非晶锗半导体热阻材料,结构简单,可实现宽量程的流速测量(为10‑2~102m/s)和测向,且工作时热电阻工作温度与流体温度之间只需保持较低的恒温差,因此功耗较低。
搜索关键词: 基于 非晶锗 热电阻 柔性 mems 流速 传感器
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学,未经上海交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011516301.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top