[发明专利]光罩缺陷修复方法、光罩制备方法和光罩在审

专利信息
申请号: 202011516646.7 申请日: 2020-12-21
公开(公告)号: CN112526820A 公开(公告)日: 2021-03-19
发明(设计)人: 高翌;贺遵火;张哲玮;朱佳楠 申请(专利权)人: 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
主分类号: G03F1/72 分类号: G03F1/72
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 刘曾
地址: 250000 山东省济南市*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明的实施例提供了一种光罩缺陷修复方法、光罩制备方法和光罩,涉及半导体光刻工艺技术领域,采用该光罩缺陷修复方法,在沉积修复材料之前,对遮光层的透光缺陷区域内的光罩衬底进行表面粗糙化处理,以使透光缺陷区域内的光罩衬底的表面粗糙化,利用增加沉积表面粗糙度的形式,使得沉积物与沉积表面之间的接触面增大,增加沉积物的附着性,使得沉积物不易因清洗而剥落,降低大面积透光缺陷的沉积修补的失败率。
搜索关键词: 缺陷 修复 方法 制备
【主权项】:
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