[发明专利]光罩缺陷修复方法、光罩制备方法和光罩在审
申请号: | 202011516646.7 | 申请日: | 2020-12-21 |
公开(公告)号: | CN112526820A | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 高翌;贺遵火;张哲玮;朱佳楠 | 申请(专利权)人: | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 |
主分类号: | G03F1/72 | 分类号: | G03F1/72 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 刘曾 |
地址: | 250000 山东省济南市*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的实施例提供了一种光罩缺陷修复方法、光罩制备方法和光罩,涉及半导体光刻工艺技术领域,采用该光罩缺陷修复方法,在沉积修复材料之前,对遮光层的透光缺陷区域内的光罩衬底进行表面粗糙化处理,以使透光缺陷区域内的光罩衬底的表面粗糙化,利用增加沉积表面粗糙度的形式,使得沉积物与沉积表面之间的接触面增大,增加沉积物的附着性,使得沉积物不易因清洗而剥落,降低大面积透光缺陷的沉积修补的失败率。 | ||
搜索关键词: | 缺陷 修复 方法 制备 | ||
【主权项】:
暂无信息
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备