[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202011516715.4 | 申请日： | 2020-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN113053839A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 山下哲生;增田晃一;村冈宏记 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/13;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明的目的在于提供即使在安装冷却体的设置面具有翘曲形状的情况下也会实现恰当的散热特性的半导体装置。半导体装置包含半导体元件、基座板及多个接触材料。基座板在表面保持有半导体元件，并且在背面能够安装用于对半导体元件进行冷却的冷却体。多个接触材料离散地配置于基座板的背面。多个接触材料用于填埋基座板和冷却体之间的散热路径中的间隙。多个接触材料的每一者具有基于基座板的背面处的翘曲形状的体积。多个接触材料中的翘曲形状的凹部处的接触材料的体积比翘曲形状的凸部处的接触材料的体积大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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