[发明专利]极弱磁极低频时的铁氧体虚部起始磁导率测试装置及方法有效

专利信息
申请号: 202011519923.X 申请日: 2020-12-21
公开(公告)号: CN112731230B 公开(公告)日: 2022-04-05
发明(设计)人: 丁铭;吉洁;马彦宁;李思然;杨可;高亚楠 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: G01R33/12 分类号: G01R33/12
代理公司: 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 代理人: 朱亚娜;吴小灿
地址: 100191*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种极弱磁极低频时的铁氧体虚部起始磁导率测试装置及方法,结构简单,测量方便,尤其适用于量子精密测量装置中使用的铁氧体复数磁导率测试,有助于提高铁氧体虚部起始磁导率的测量精度、降低屏蔽桶磁噪声测算误差。采用匀线圈外壳确保测量线圈绕制均匀,最大限度排除干扰因素;采用L型架体将所述铁氧体待测盒放入磁屏蔽桶中心位置保证了实际使用过程中的极弱磁环境;采用约旦分离的方式可确保分离出极低频条件下的剩余损耗,最后利用推导出的虚部磁导率与所述剩余损耗的关系得出铁氧体环的虚部起始磁导率。
搜索关键词: 磁极 低频 铁氧体 起始 磁导率 测试 装置 方法
【主权项】:
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