[发明专利]一种用于空间粒子探测的硅半导体传感器在审
申请号: | 202011520206.9 | 申请日: | 2020-12-21 |
公开(公告)号: | CN112635580A | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 孙莹;沈国红;张珅毅;荆涛;张焕新;孙越强;余庆龙;曹学雷;张万昌;孙亮 | 申请(专利权)人: | 中国科学院国家空间科学中心 |
主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203;H01L31/02;H01L31/115 |
代理公司: | 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 | 代理人: | 陈琳琳;杨青 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于空间粒子探测的硅半导体传感器,所述硅半导体传感器包括:硅芯片、封装外壳以及三个电缆引线;所述封装外壳为长方体结构,硅芯片封装在封装外壳的内部中心位置处,封装外壳的裸露中心开口对应的是硅芯片的入射面的探测灵敏区,封装外壳的两侧分别引出三个电缆引线;所述硅芯片的入射面的探测灵敏区外边缘设置一圈重掺杂结构作为灵敏区保护环,硅芯片的入射面的探测灵敏区表面覆盖Al金属层;所述封装外壳为三层结构粘合而成,封装外壳的中间层设置铜走线和引线焊盘,硅芯片的入射面电极、背面电极和保护环电极通过跳线丝焊接于引线焊盘;在中间层的上下表面分别覆盖两个保护层,用于保护中间层铜走线和引线焊盘。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 空间 粒子 探测 半导体 传感器 | ||
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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