[发明专利]一种低介电常数低损耗低热膨胀系数PTFE基电路基板及其制备方法在审
| 申请号： | 202011520897.2 | 申请日： | 2020-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN112480579A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 李秋影;刘鹏英;张宁 | 申请（专利权）人： | 华东理工大学 |
| 主分类号： | C08L27/18 | 分类号： | C08L27/18;C08K13/06;C08K9/10;C08K7/14;C08K7/28;H05K1/03 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200237 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低介电常数低损耗低热膨胀系数PTFE基电路基板及其制备方法，本发明的PTFE基电路基板中，其中，PTFE树脂质量占PTFE基电路基板质量的80‑95%，玻璃纤维质量占PTFE基电路基板质量的1‑10%，中空玻璃微球质量占PTFE基电路基板质量的1‑10%，改性剂的质量占无机填料(玻璃纤维或中空玻璃微球)质量的10‑20%。本发明的制备PTFE基电路基板的方法包括无机填料的表面改性步骤和PTFE基电路基板的制备步骤。本发明的PTFE基电路基板在降低热膨胀系数(70ppm/℃)的同时还可以保证材料优异的介电性能(Dk=2.1@10GHz，Df=0.0001@10GHz)，有望可以广泛应用于电力通讯领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 介电常数 损耗 低热 膨胀系数 ptfe 路基 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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