[发明专利]具有支撑结构的T型栅及其制备方法和半导体功率器件有效
| 申请号： | 202011521501.6 | 申请日： | 2020-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN112713185B | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 张鹏;陈俊文;马晓华;王明飞;王凯 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/40;H01L29/772 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有支撑结构的T型栅及其制备方法和半导体功率器件，该具有支撑结构的T型栅，生长在具有钝化层的半导体基片上，包括栅帽、栅脚和若干栅支柱，其中，栅帽位于半导体基片的上方；栅脚的一端与栅帽的底面中部连接，另一端穿过钝化层生长在半导体基片上；若干栅支柱沿栅宽方向间隔设置在栅帽底部的两侧，且栅支柱的底部与钝化层连接。本发明的具有支撑结构的T型栅，在栅帽两侧沿栅宽方向相间隔设置有栅支柱，在提高栅脚的高度的同时不增加钝化层厚度，不影响寄生电容，提高了器件在高频下的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 支撑 结构 及其 制备 方法 半导体 功率 器件 | ||
【主权项】：
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