[发明专利]单细胞水平脑功能定位的微纳电极阵列芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 202011521981.6 | 申请日： | 2020-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN112716497B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 张禹;蔡新霞;宋轶琳;徐声伟;谢精玉;肖桂花;何恩慧;王蜜霞;邢宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院空天信息创新研究院 |
| 主分类号： | A61B5/294 | 分类号： | A61B5/294;A61B5/388;A61B5/1473 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 鄢功军 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供一种单细胞水平脑功能定位的微纳电极阵列芯片，包括：为刚性绝缘材料的衬底层，制备于上述衬底层上方，用于通过设置的检测位点及电极检测神经电生理信号和神经电化学信号，并将检测到的神经电生理信号和神经电化学信号实时传递给后端采集仪器的导电层，以及形成于所述导电层上方的绝缘层；本公开还提供一种所述的单细胞水平脑功能定位的微纳电极阵列芯片的制备方法；及本公开还提供一种所述的单细胞水平脑功能定位的微纳电极阵列芯片的使用方法。 | ||
| 搜索关键词： | 单细胞 水平 功能 定位 电极 阵列 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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