[发明专利]具有双损耗腔结构的宽带吸收器及其制备方法在审
| 申请号： | 202011522661.2 | 申请日： | 2020-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN112485850A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 陈建军;吴东;龚旗煌 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00 |
| 代理公司： | 深圳市沈合专利代理事务所(特殊普通合伙) 44373 | 代理人： | 沈祖锋 |
| 地址： | 100000*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有双损耗腔结构的宽带吸收器及其制备方法。所述具有双损耗腔结构的宽带吸收器包括基底、及依次形成于基底上的第一金属层、第一介质层、第二金属层、及第二介质层，所述第一金属层和第二金属层的材质均为介电常数的虚部在8～40范围内的高损耗金属，所述第一介质层和第二介质层均为透明材料。本发明的具有双损耗腔结构的宽带吸收器具有光吸收率高和偏振角不敏感性的优点，且可吸收可见光‑近红外宽波段的光。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 损耗 结构 宽带 吸收 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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