[发明专利]一种增强型功率器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202011522804.X | 申请日： | 2020-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN112687733B | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 曾巧玉;李成果;姜南;尹雪兵;葛晓明;曾昭烩;李祈昕 | 申请（专利权）人： | 广东省科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/423;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郭浩辉;颜希文 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增强型功率器件及其制作方法，该制作方法包括：S1、在衬底的表面制备增强型功率器件的势垒层；S2、在势垒层上制备具有二维电子气的异质结构；S3、在异质结构上制备N极性层；S4、在N极性层上制备Ga极性层；S5、对Ga极性层进行刻蚀，以形成栅结构；S6、采用湿法腐蚀方法腐蚀N极性层的非栅结构；S7、在步骤S6腐蚀后的结构上完成HEMT器件的制备。本发明实施例通过湿法腐蚀方法腐蚀N极性层形成栅结构，有效减少栅工艺对功率器件带来的损伤；N极性层和Ga极性层构成复合层，通过复合层能够有效增加P型栅结构中的空穴浓度，从而能够有效提高增强型功率器件的阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 功率 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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