[发明专利]基于氮化硅脊型波导的嵌入型石墨烯光探测器及制作方法有效
申请号: | 202011523761.7 | 申请日: | 2020-12-22 |
公开(公告)号: | CN112635589B | 公开(公告)日: | 2023-09-15 |
发明(设计)人: | 邹望辉;莫嘉豪;武俞刚;王淳风 | 申请(专利权)人: | 长沙理工大学 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/028;H01L31/18 |
代理公司: | 长沙智路知识产权代理事务所(普通合伙) 43244 | 代理人: | 张毅 |
地址: | 410114 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明涉及一种基于氮化硅脊型波导的嵌入型石墨烯光探测器及制作方法,其中,光探测器包括:衬底、隔离层和光探测结构;隔离层的材料为氧化硅;光探测结构包括脊型波导、石墨烯层和叉指电极结构;脊型波导的材料为氮化硅;脊型波导包括基部和脊部;基部的宽度大于脊部的宽度;石墨烯层位于脊型波导基部之上;在所述石墨烯层之上设置有与所述石墨烯层形成接触的第一金属层和第二金属层;所述第一金属层和第二金属层沿波导传输方向交替放置,并按叉指方式排列,同时向脊型波导基部两侧延伸出来,形成叉指电极结构。其石墨烯层相比传统结构更接近波导中心,与导模的相互作用更强,因此可以获得更高性能,有效避免石墨烯层断裂影响性能。 | ||
搜索关键词: | 基于 氮化 硅脊型 波导 嵌入 石墨 探测器 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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