[发明专利]一种基于多层掩膜套刻的面内岛状铁电阻变存储器单元结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202011525042.9 | 申请日： | 2020-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN112635665A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 陈志辉;江钧;周志成 | 申请（专利权）人： | 上海复存信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 上海领洋专利代理事务所(普通合伙) 31292 | 代理人： | 俞晨波 |
| 地址： | 200000 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于多层掩膜套刻的面内岛状铁电阻变存储器单元结构及其制备方法，包括：铁电单晶薄膜，所述铁电单晶薄膜的下部设置有过渡层且过渡层的下部设有硅基外围电路，所述铁电单晶薄膜覆盖在过渡层表面且铁电单晶薄膜的上部形成互联金属，所述互联金属的内部形成通孔且通孔内设置有通孔金属，所述互联金属之间设置有铁电阻变存储器单元凸起。本发明工艺流程与工艺设备结合，本方法的多层套刻步骤流程化，操作简单方便，安全可靠，且在套刻过程中设置测量和定位步骤，增加了识别标记的准确性，提高了生产质量；本方法通过调节，可以得到畴壁稳定的面内岛状铁电阻变存储器单元。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 多层 掩膜套刻 面内岛状铁 电阻 存储器 单元 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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