[发明专利]快离子导体包覆的镍钴锰钽复合四元正极材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202011525373.2 | 申请日： | 2020-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN112670506B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 陈来;陈刚;苏岳锋;卢赟;李宁;曹端云;包丽颖;陈实;吴锋 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学重庆创新中心;北京理工大学 |
| 主分类号： | H01M4/62 | 分类号： | H01M4/62;H01M4/505;H01M4/525;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 胡东东 |
| 地址： | 401120 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种快离子导体包覆的镍钴锰钽复合四元正极材料及其制备方法，包括以下步骤：S1、取锂盐和钽盐进行粉化处理，然后混入镍钴锰三元正极材料前驱体，得到均质混合物；S2、将均质混合物进行分段煅烧，先在450‑550℃下煅烧，然后在680‑780℃煅烧，随炉冷却后即得。本发明制备得到的镍钴锰钽复合四元正极材料的表面包覆有一定厚度的LiTaO |
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| 搜索关键词： | 离子 导体 镍钴锰钽 复合 正极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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