[发明专利]一种半导体器件、制造方法及其应用在审
| 申请号： | 202011527315.3 | 申请日： | 2020-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN113838935A | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 黎子兰;张树昕;陈卫宾 | 申请（专利权）人： | 广东致能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 何明伦 |
| 地址： | 510700 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开内容提供一种半导体器件及其制作方法。所述半导体器件包括基底；生成二维电荷载流子气的一界面；第一电极和第二电极；基底上形成的第一类型掺杂的第一半导体层，在所述第一半导体层中形成第一类型掺杂原子不具备电活性的第一区域和第一类型掺杂原子具备电活性的第二区域；所述第二区域中包含与所述第一区域共面的部分。所述半导体器件既能避免晶体结构的损伤，又能在工艺上容易实现，且能保持较好的二维电荷载流子气的输送性质，有利于器件性能的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东致能科技有限公司，未经广东致能科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011527315.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
