[发明专利]半导体存储器件在审
| 申请号： | 202011531383.7 | 申请日： | 2020-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN113270546A | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 郑圭镐 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L27/108 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李敬文 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体存储器件，包括：衬底上的电容器。该电容器包括：第一电极、在第一电极上的第二电极、以及在第一电极和第二电极之间的电介质层。第二电极包括第一层、第二层和第三层。第一层与电介质层相邻，并且第三层与第一层间隔开，使第二层介于第一层和第三层之间。第三层中的镍的浓度高于第一层中的镍的浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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