[发明专利]一种氮化镓异质结二极管制备方法及二极管在审
| 申请号： | 202011532080.7 | 申请日： | 2020-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN112652535A | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 杨勇;张光亚;朱勇华;付国振 | 申请（专利权）人： | 深圳市美浦森半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中山市科企联知识产权代理事务所(普通合伙) 44337 | 代理人： | 杨立铭 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区招*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化镓异质结二极管制备方法及二极管，其制备方法包括以下步骤：制备一二氧化硅‑氮化镓‑氮化镓铝外延片衬底，依次淀积氮化铝层和二氧化硅层；曝光刻蚀氮化铝层和二氧化硅层，露出二维电子气的位置；内镀上一层二氧化硅层；曝光刻蚀露出氮化镓铝层，形成源极孔和漏极孔；沉积一复合金属钛铝镍金层；曝光刻蚀掉步骤S10中的二氧化硅层，露出氮化铝层形成一个栅极引线孔，淀积一铝层，形成氮化镓器件的异质结；顶部镀上一层二氧化硅层作为绝缘层，并曝光刻蚀该二氧化硅层露出源极孔和漏极孔；沉积一铝层，形成氮化镓异质结二极管器件源极和漏极。通过以上方法制得的二极管功率密度输出高，能量转换效率高，可使系统小型化、轻量化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 镓异质结 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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