[发明专利]一种利用氯基CVD晶体薄膜生长制程尾气FTrPSA制备甲基氯硅烷类有机硅方法在审
| 申请号： | 202011533723.X | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN112645976A | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 汪兰海;钟娅玲;钟雨明;陈运;唐金财;蔡跃明 | 申请（专利权）人： | 浙江天采云集科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C07F7/16 | 分类号： | C07F7/16;C07F7/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 314400 浙江省嘉兴市海宁市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用氯基CVD晶体薄膜生长制程尾气FTrPSA制备甲基氯硅烷类有机硅方法，通过预处理、中温变压吸附、中常温变压吸附浓缩、直接合成、粗单体精馏、氯硅烷喷淋吸收、多级蒸发/压缩/冷凝与氯硅烷中浅冷精馏工序，利用一种基于甲基氯硅烷类有机硅为前驱物的氯基SiC‑CVD晶体及或外延薄膜生长制程尾气中含有氯甲烷、氯硅烷、氯化氢、硅粉等有效组分，采用直接合成法制备甲基氯硅烷类有机硅产品，包括一甲基氯硅烷、二甲基氯硅烷等，并可返回到SiC‑CVD制程循环使用，既实现尾气综合利用，又减少了尾气排放，弥补了SiC‑cvd氯基晶体或外延薄膜生长制程尾气处理技术的空白。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 cvd 晶体 薄膜 生长 尾气 ftrpsa 制备 甲基 硅烷 有机硅 方法 | ||
【主权项】：
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