[发明专利]一种粗硅烷全温程变压吸附制取电子级硅烷的方法有效
| 申请号： | 202011533725.9 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN112479214B | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 汪兰海;钟娅玲;钟雨明;陈运;唐金财;蔡跃明 | 申请（专利权）人： | 浙江天采云集科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107;B01D53/047 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 314400 浙江省嘉兴市海宁市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种粗硅烷全温程变压吸附制取电子级硅烷的方法，利用硅烷与杂质组分之间在不同温度与压力下的物理化学性质及相对吸附/精馏分离系数的差异，通过中温变压吸附提纯与浅冷变压吸附浓缩与精馏、化学吸附纯化耦合，粗硅烷气经过中浅冷精馏、中温变压吸附提纯、浅冷变压吸附浓缩及硅烷纯化工序，高纯度高收率地获得了纯度大于等于99.9999%、收率大于96%的电子级硅烷产品气。本发明适合于不同的方法制造出来的粗硅烷作为原料气，克服了现有的粗硅烷制取电子级硅烷所存在的粗硅烷制备方法不同而产生的粗硅烷中杂质组分不同所需的提纯制备电子级硅烷的方法不同的局限。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅烷 全温程 变压 吸附 制取 电子 方法 | ||
【主权项】：
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