[发明专利]一种含低浓度硅烷与碳二以上轻烃类的氯基SiC-CVD外延尾气全温程变压吸附提氢与循环再利用方法有效
| 申请号： | 202011533990.7 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN112827319B | 公开（公告）日： | 2023-03-03 |
| 发明（设计）人： | 钟雨明;钟娅玲;汪兰海;陈运;陈勇;唐金财;蔡跃明;蒋强 | 申请（专利权）人： | 四川天采科技有限责任公司 |
| 主分类号： | B01D53/047 | 分类号： | B01D53/047;B01D53/18;B01D1/00;B01D5/00;B01D3/14 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 轩勇丽 |
| 地址： | 610041 四川省成都市中国（四川）自由贸*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含低浓度硅烷与碳二以上轻烃类的氯基SiC‑CVD外延尾气全温程变压吸附提氢与循环再利用方法，通过中温变压吸附提纯与浅冷变压吸附浓缩与精馏、化学吸附纯化耦合，并经预处理、压缩冷凝、中温变压吸附提纯、吸附纯化、变压吸附提氢、氢气纯化、中浅冷精馏与HCl精制工序，将来自氯基SiC‑CVD外延制程中产生的含低浓度硅烷与碳二以上轻烃类尾气的有效组分H2提取与纯化，获得满足SiC‑CVD制程所需的电子级H2产品气并返回制程循环使用，收率高达90％以上，同时获得副产物HCl气体，作为“含氯”载体返回制程循环使用，为SiC产业绿色与循环经济发展填补了空白。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 浓度 硅烷 以上 轻烃类 sic cvd 外延 尾气 全温程 变压 吸附 循环 再利用 方法 | ||
【主权项】：
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