[发明专利]一种氯基SiC-CVD制程尾气为反应循环气的FTrPSA可调节分离方法有效
| 申请号： | 202011534045.9 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN112827320B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 钟雨明;钟娅玲;汪兰海;陈运;唐金财;蔡跃明;蒋强 | 申请（专利权）人： | 四川天采科技有限责任公司 |
| 主分类号： | B01D53/047 | 分类号： | B01D53/047;B01D53/18;B01D1/00;B01D5/00;B01D3/14 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 轩勇丽 |
| 地址： | 610041 四川省成都市中国（四川）自由贸*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氯基SiC‑CVD制程尾气为反应循环气的FTrPSA可调节分离方法，属于碳化硅晶体及薄膜外延的CVD生长过程中的尾气回收与循环再利用技术领域；该方法包括原料气预处理、氯硅烷喷淋吸收、中温变压吸附浓缩、多级蒸发/压缩/冷凝、HCl精制、氯硅烷中浅冷精馏等步骤；本发明利用氯基SiC‑CVD制程尾气中不同组分本身在不同压力与温度下的吸附分离系数与物理化学性质的差异性，采取中温喷淋吸收与中温变压吸附浓缩过程中吸收/吸附与解吸易于匹配和平衡的循环操作来进行可调节各有效组分比例的分离和净化，使制程尾气作为循环反应气返回到氯基SiC‑CVD制程中使用，既实现了氯基SiC‑CVD制程尾气的综合利用，又能有效地增加SiC晶体或薄膜外延的沉积效率与质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic cvd 尾气 反应 循环 ftrpsa 调节 分离 方法 | ||
【主权项】：
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