[发明专利]一种三维纳米结构制作方法在审
| 申请号： | 202011534571.5 | 申请日： | 2020-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN114660900A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 陶虎;秦楠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/16;G03F7/095;G03F7/40;G03F7/30;G03F7/004;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种三维纳米结构制作方法，包括以下步骤：提供基底；在所述基底上设置光刻材料形成与三维纳米结构尺寸对应的薄膜；基于预先输入的三维纳米结构图形使用电子束对所述薄膜中设定的区域进行电子束三维直写曝光得到待显影三维纳米结构；对所述待显影三维纳米结构显影定影得到与所述三维纳米结构图形对应的三维纳米结构。本发明能够实现在优于100nm(甚至≤15nm)的分辨率下在平面或者曲面基底上利用电子束方便、快速直写悬浮、镂空、大深宽比等基于上述光刻材料的复杂三微纳米结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 纳米 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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