[发明专利]热循环条件下功率半导体器件焊料疲劳裂纹扩展仿真方法有效

专利信息
申请号: 202011535243.7 申请日: 2020-12-22
公开(公告)号: CN113033032B 公开(公告)日: 2022-09-09
发明(设计)人: 黄永乐;罗毅飞;肖飞;刘宾礼;唐欣 申请(专利权)人: 中国人民解放军海军工程大学
主分类号: G06F30/23 分类号: G06F30/23;G06F30/367;G06F119/08
代理公司: 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 代理人: 马辉;张继巍
地址: 430000 *** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种热循环条件下功率半导体器件焊料疲劳裂纹扩展仿真方法,基于功率半导体器件电‑热‑力多场耦合模型精确模拟功率半导体器件电、热、力学行为,可以定量提取热循环条件下功率半导体器件焊料疲劳变形力学特征量时变与分布信息;基于材料疲劳理论计算焊料单元疲劳损伤,根据焊料性能特点自由选择疲劳模型,在获取单元累积的总疲劳损伤基础上对焊料单元刚度系数矩阵进行线性比例缩减修正并反馈回功率半导体器件多场耦合模型,实现焊料疲劳与功率半导体电、热、力学特性的耦合关联,开展有限元与疲劳损伤计算循环迭代仿真,能够精确刻画功率半导体器件热循环过程中焊料疲劳裂纹扩展规律。
搜索关键词: 循环 条件下 功率 半导体器件 焊料 疲劳 裂纹 扩展 仿真 方法
【主权项】:
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