[发明专利]热循环条件下功率半导体器件焊料疲劳裂纹扩展仿真方法有效
申请号: | 202011535243.7 | 申请日: | 2020-12-22 |
公开(公告)号: | CN113033032B | 公开(公告)日: | 2022-09-09 |
发明(设计)人: | 黄永乐;罗毅飞;肖飞;刘宾礼;唐欣 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军海军工程大学 |
主分类号: | G06F30/23 | 分类号: | G06F30/23;G06F30/367;G06F119/08 |
代理公司: | 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 | 代理人: | 马辉;张继巍 |
地址: | 430000 *** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种热循环条件下功率半导体器件焊料疲劳裂纹扩展仿真方法,基于功率半导体器件电‑热‑力多场耦合模型精确模拟功率半导体器件电、热、力学行为,可以定量提取热循环条件下功率半导体器件焊料疲劳变形力学特征量时变与分布信息;基于材料疲劳理论计算焊料单元疲劳损伤,根据焊料性能特点自由选择疲劳模型,在获取单元累积的总疲劳损伤基础上对焊料单元刚度系数矩阵进行线性比例缩减修正并反馈回功率半导体器件多场耦合模型,实现焊料疲劳与功率半导体电、热、力学特性的耦合关联,开展有限元与疲劳损伤计算循环迭代仿真,能够精确刻画功率半导体器件热循环过程中焊料疲劳裂纹扩展规律。 | ||
搜索关键词: | 循环 条件下 功率 半导体器件 焊料 疲劳 裂纹 扩展 仿真 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国人民解放军海军工程大学,未经中国人民解放军海军工程大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011535243.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:机械驱动显示器
- 下一篇:神经网络运算装置及方法