[发明专利]制造微电子装置的方法以及相关的工具和设备在审
| 申请号： | 202011535666.9 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN113130391A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | S·K·乌帕德亚尤拉;林添才 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/304;H01L21/67;B23K26/38;B23K26/402;B23K26/70 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种制造微电子装置的方法以及相关的工具和设备。所述方法可以包括在晶片的第一表面上形成布线层。所述方法还可以包括通过将激光聚焦在所述晶片的内部部分上而沿着所述晶片的每个微电子装置的分离区域形成改性层。所述方法还可以包括从所述晶片的第二表面去除材料。可以将所述晶片冷却到这样的温度，在所述温度下，在从所述晶片的所述第二表面去除所述材料的同时，延伸穿过所述分离区域的低介电常数层是易碎的。所述方法可以进一步包括沿着所述分离区域分离所述晶片以形成分离的微电子装置。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 微电子 装置 方法 以及 相关 工具 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
