[发明专利]STI平坦化方法在审
| 申请号： | 202011536427.5 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN112670235A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 王妍;宋欢欢;吴建荣;冯凯 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种STI平坦化方法，在半导体衬底上刻蚀形成STI沟槽；在所述STI沟槽中完成填充物淀积之后，在工艺腔内通入刻蚀气体处理工艺，通过刻蚀气体的刻蚀，将填充物表面的毛刺去除。本发明利用刻蚀性气体对STI填充层进行预处理，将表面的毛刺先行刻蚀去除，然后在进行平坦化工艺，这样由于预先去除了毛刺，平坦化时没有毛刺颗粒摩擦晶圆表面，降低了晶圆划伤的风险。 | ||
| 搜索关键词： | sti 平坦 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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