[发明专利]一种用于低压集成电路ESD保护的低触发SCR结构在审
| 申请号： | 202011536660.3 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN112687680A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 田泽;蒲石;郎静;谢运祥;邵刚 | 申请（专利权）人： | 西安翔腾微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 西安匠成知识产权代理事务所(普通合伙) 61255 | 代理人： | 商宇科 |
| 地址： | 710054 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于低压集成电路ESD保护的低触发SCR结构。本发明包括P衬底，N阱区、P阱区、欧姆接触N+区、第一欧姆接触N+区、第一欧姆接触P+区、第二欧姆接触N+区和与第二欧姆接触P+区，P衬底内部上方一侧设置有N阱区，另一侧设置有P阱区，N阱区与P阱区相切，N阱区内部上方设置有第一欧姆接触N+区和第一欧姆接触P+区，第一欧姆接触N+区和第一欧姆接触P+区通过金属相连构成阳极，P阱区内部上方设置有第二欧姆接触N+区和第二欧姆接触P+区，第二欧姆接触N+区和第二欧姆接触P+区通过金属相连构成阴极，N阱区和P阱区交界处设置有横跨两区域的欧姆接触N+区，欧姆接触N+区与第二欧姆接触N+区之间区域的表面上方设置有栅极，阳极与栅极之间通过多个正向二极管连接，栅极与阴极之间通过1个或多个正向二极管连接。本发明保持传统LVTSCR的大电流能力的同时，可以根据二极管个数的调整选择不同的触发电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 低压 集成电路 esd 保护 触发 scr 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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