[发明专利]电阻式存储器胞及其相关的阵列结构在审
| 申请号： | 202011536677.9 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN113257850A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 赖宗沐;张纬宸;陈学威 | 申请（专利权）人： | 力旺电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 徐协成 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种电阻式存储器胞及其相关的阵列结构，电阻式存储器胞包括一井区、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、第一栅极结构、第二栅极结构与第三栅极结构。第一栅极结构形成于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间的井区的该表面上方。第二栅极结构形成于第二掺杂区上方。第三栅极结构形成于第二掺杂区与第三掺杂区之间的井区的表面上方。第一金属层连接至第一掺杂区以及第三掺杂区。第二金属层，连接至第一栅极结构的导电层与第三栅极结构的导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储器 及其 相关 阵列 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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