[发明专利]图像传感器及其深沟槽的制作方法

摘要

本发明提供一种图像传感器及其深沟槽的制作方法，包括在第一牺牲层表面沉积第二牺牲层；图形化所述第二牺牲层，形成贯穿所述第二牺牲层的第一开口；在所述第二牺牲层表面和所述第一开口的侧壁和底部沉积第三牺牲层；所述第三牺牲层的垂直部分在所述第一开口的侧壁形成侧壁保护墙；以所述第二牺牲层和所述侧壁保护墙为掩膜，刻蚀所述第一牺牲层，在所述第一开口底部形成贯穿所述第一牺牲层的第二开口；刻蚀去除所述第二牺牲层，并在所述第二开口底部的衬底内形成第三开口。本发明通过对多晶硅、硅衬底的一步刻蚀法形成了DTI结构，进一步缩小了DTI的尺寸，减少金属对入射光的反射，进而提高QE，提高了图像传感器的性能。