[发明专利]一种CVD机台在审
| 申请号： | 202011538581.6 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN112670211A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 楚明;罗兴安;董洪旺;涂文骏;张高升 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578;C23C16/455;C23C16/513 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李晓光 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种CVD机台，包括：等离子体喷头，所述等子立体喷头用于喷出等离子体；等离子体调整装置，所述等离子体调整装置用于使作用在待加工晶圆片上的等离子体的方向变为垂直方向。也就是说，该等离子体调整装置使作用在待加工晶圆片上的等离子体的方向变为垂直方向，那么就可以极大程度的降低侧壁受到等离子体加工的影响，使侧壁的膜层密度更为酥松；并且，使等离子体更容易到达底部区域，使顶部和底部的膜层密度更大，进而极大程度的拉开平面区域和侧壁区域膜层的密度差；那么，在WET工序中，顶部侧壁的膜层也更容易刻蚀开，并且在顶部侧壁刻蚀开的情况下，底部的膜层也会保持很好的形貌，进而极大程度的提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cvd 机台 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011538581.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
