[发明专利]使用启用列读取的存储器来实行随机稀疏提升和普罗克拉斯提斯正交稀疏散列的技术在审
| 申请号： | 202011539216.7 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN113627618A | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | M·特珀;D·森古普塔;S·东贡卡;C·绍汉;J·卡恩;T·维尔克;R·库尔逊 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G06N20/00 | 分类号： | G06N20/00;G06F16/903;G06F15/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 浩路;周学斌 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于使用启用列读取的存储器来实行随机稀疏提升和普罗克拉斯提斯正交稀疏散列的技术包括：一种设备，其具有列可寻址的存储器、以及连接到存储器的电路。所述电路被配置成将输入数据向量集合添加到存储器作为二进制维度扩展向量集合，包括将每个输入数据向量与投影矩阵相乘。所述电路还被配置成从搜索数据向量产生搜索散列码，包括将搜索数据向量与投影矩阵相乘。此外，所述电路被配置成确定搜索散列码与每一个二进制维度扩展向量之间的汉明距离。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 启用 读取 存储器 实行 随机 稀疏 提升 普罗 克拉 斯提斯 正交 技术 | ||
【主权项】：
暂无信息
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